RYE002N05TCL

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-416-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

50 V

Id-連続ドレイン電流：

200 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

9 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

300 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

150 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.7 mm

長さ：

1.6 mm

製品：

MOSFET

シリーズ：

RYE002N05

トランジスタタイプ：

1 N-channel

タイプ：

パワーMOSFET

幅：

0.8 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

200 mS

立ち下がり時間：

43 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

17 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5 ns

パーツ番号エイリアス：

RYE002N05

単位重量：

0.000212 oz

Tags

RYE002N05T, RYE0, RYE