NJVMJD2955T4G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DPAK-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

70 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.1 V

最大DCコレクタ電流：

10 A

ゲイン帯域幅積fT：

2 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

MJD2955

DC電流ゲインhFEMax：

100 at 4 A, 10 VDC

高さ：

2.38 mm

長さ：

6.73 mm

包装：

リール

幅：

6.22 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

20 at 4 A, 10 VDC

Pd-消費電力：

20 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.009185 oz

Tags

NJVMJD2, NJVMJD, NJVM, NJV