IXFB62N80Q3

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

PLUS-264-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

800 V

Id-連続ドレイン電流：

62 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

140 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

270 nC

Pd-消費電力：

1.56 kW

構成：

独身

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

シリーズ：

IXFB62N80

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

IXYS

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

300 ns

ファクトリーパックの数量：

25

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.056438 oz

Tags

IXFB, IXF