BSS159NH6327XT

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

230 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.7 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

1.4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

360 mW

構成：

独身

チャネルモード：

枯渇

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

2.9 mm

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

1.3 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

100 mS

立ち下がり時間：

9 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

2.9 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

9 ns

典型的なターンオン遅延時間：

3.1 ns

パーツ番号エイリアス：

BSS159N BSS159NH6327XTSA2 H6327 SP000919328

単位重量：

0.000282 oz

Tags

BSS159NH6327X, BSS159NH63, BSS159NH, BSS159N, BSS15, BSS1, BSS