NVMFS4C05NWFT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-FL-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

116 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3.4 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

30 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

3.61 W

構成：

独身

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

シリーズ：

NVMFS4C05N

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

26 ns

ファクトリーパックの数量：

1500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

26 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8 ns

Tags

NVMFS4C05, NVMFS4C0, NVMFS4C, NVMFS4, NVMFS, NVMF, NVM