SBC856BWT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SC-70-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 65 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 80 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 0.65 V

ゲイン帯域幅積fT：

100 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

BC856BW

DC電流ゲインhFEMax：

475

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 0.1 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

220

Pd-消費電力：

150 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000219 oz

Tags

SBC856B, SBC856, SBC85, SBC8, SBC