EMB51T2R

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

デュアル

トランジスタの極性：

PNP

一般的な入力抵抗：

22 kOhms

典型的な抵抗比：

1

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

EMT-6

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

60

最大動作周波数：

250 MHz

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 50 V

連続コレクタ電流：

- 100 mA

ピークDCコレクタ電流：

- 100 mA

Pd-消費電力：

150 mW

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

リール

出力電圧：

- 70 mV

ブランド：

ロームセミコンダクター

チャネルモード：

強化

最大DCコレクタ電流：

- 100 mA

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

EMB51

Tags

EMB51, EMB5, EMB