ECH8693R-TL-W

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ECH-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

24 V

Id-連続ドレイン電流：

14 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

7 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12.5 V

Qg-ゲートチャージ：

13 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.4 W

構成：

デュアル

包装：

リール

シリーズ：

ECH8693R

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

8 S

立ち下がり時間：

22200 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

525 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

18650 ns

典型的なターンオン遅延時間：

545 ns

単位重量：

0.000684 oz

Tags

ECH869, ECH86, ECH8, ECH