ATP108-TL-H

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ATPAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

70 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

10.4 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

79.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

60 W

構成：

独身

包装：

リール

シリーズ：

ATP108

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

65 S

立ち下がり時間：

290 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

340 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

340 ns

典型的なターンオン遅延時間：

19 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

ATP10, ATP1, ATP