IRFB42N20DPBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

44 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

55 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

5.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

91 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

2.4 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

15.65 mm

長さ：

10 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

Smps MOSFET

幅：

4.4 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

21 S

立ち下がり時間：

32 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

69 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

29 ns

典型的なターンオン遅延時間：

18 ns

パーツ番号エイリアス：

SP001560222

単位重量：

0.211644 oz

Tags

IRFB42N20DP, IRFB42N20D, IRFB42N, IRFB42, IRFB4, IRFB, IRF