STB24N60DM2

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

18 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

200 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

29 nC

Pd-消費電力：

150 W

構成：

独身

商標名：

FDmesh

包装：

リール

シリーズ：

STB24N60DM2

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

15 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8.7 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

60 ns

典型的なターンオン遅延時間：

15 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

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