CSD25302Q2

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

WSON-FET-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

49 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

2.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.4 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

0.75 mm

長さ：

2 mm

シリーズ：

CSD25302Q2

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

2 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

12.3 S

立ち下がり時間：

1.3 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

13.2 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

8.6 ns

典型的なターンオン遅延時間：

3.2 ns

Tags

CSD2530, CSD253, CSD25, CSD2, CSD