FDMS7606

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

Power-56-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

12 A, 22 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

11.4 mOhms, 11.6 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.1 V, 1.9 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

16 nC, 19 nC

Pd-消費電力：

2.2 W, 2.5 W

構成：

デュアル

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

6 mm

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

幅：

5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

53 S, 47 S

立ち下がり時間：

3 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.007443 oz

Tags

FDMS760, FDMS76, FDMS7, FDMS, FDM