NTMD4N03R2G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOIC-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

60 mOhms, 60 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

8 nC, 8 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.5 mm

長さ：

5 mm

シリーズ：

NTMD4N03

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

4 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6 S, 6 S

立ち下がり時間：

10 ns, 10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

14 ns, 14 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

16 ns, 16 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7 ns, 7 ns

単位重量：

0.006596 oz

Tags

NTMD4N03, NTMD4N, NTMD4, NTMD, NTM