SD2932W

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

40 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

125 V

利得：

16 dB

出力電力：

300 W

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

M244

包装：

チューブ

構成：

デュアル

動作周波数：

250 MHz

シリーズ：

SD2932

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

STMicroelectronics

Pd-消費電力：

500 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

90

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Tags

SD2932, SD293, SD29, SD2