BSM120D12P2C005

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

JBoss：

Y

製品：

パワー半導体モジュール

タイプ：

SiCパワーMOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 22 V

取り付けスタイル：

スクリューマウント

パッケージ/ケース：

モジュール

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

BSMx

包装：

バルク

構成：

ハーフブリッジ

高さ：

21.1 mm

長さ：

122 mm

幅：

45.6 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

典型的な遅延時間：

45 ns

立ち下がり時間：

60 ns

Id-連続ドレイン電流：

134 A

Pd-消費電力：

935 W

製品タイプ：

ディスクリート半導体モジュール

立ち上がり時間：

50 ns

ファクトリーパックの数量：

12

サブカテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

典型的なターンオフ遅延時間：

170 ns

典型的なターンオン遅延時間：

45 ns

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1200 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.6 V

パーツ番号エイリアス：

BSM120D12P2C005

単位重量：

9.856004 oz

Tags

BSM1, BSM