CSD18543Q3AT

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

VSONP-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

12 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

12 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

11.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

66 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

0.9 mm

長さ：

3.15 mm

シリーズ：

CSD18543Q3A

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

3 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

40 S

立ち下がり時間：

4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

18 ns

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9 ns

単位重量：

0.000977 oz

Tags

CSD18543Q, CSD18543, CSD1854, CSD185, CSD18, CSD1, CSD