IRF200S234

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

D2PAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

90 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

14 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

162 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

417 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

96 S

立ち下がり時間：

37 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

58 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

67 ns

典型的なターンオン遅延時間：

21 ns

パーツ番号エイリアス：

SP001593688

Tags

IRF200, IRF20, IRF2, IRF