SUP85N15-21-E3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

150 V

Id-連続ドレイン電流：

85 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

17.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

110 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

300 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

チューブ

シリーズ：

SUP

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

25 S

立ち下がり時間：

170 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

170 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

40 ns

典型的なターンオン遅延時間：

22 ns

パーツ番号エイリアス：

SUP85N15-21

単位重量：

0.211644 oz

Tags

SUP85N15, SUP85N1, SUP85N, SUP85, SUP8, SUP