SSM3J35AMFV,L3F

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-723-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

250 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.1 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

500 mW (1/2 W)

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

東芝

フォワード相互コンダクタンス-最小：

430 mS

立ち下がり時間：

145 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

42 ns

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

420 ns

典型的なターンオン遅延時間：

17 ns

単位重量：

0.000053 oz

Tags

SSM3J35A, SSM3J35, SSM3J3, SSM3J, SSM3, SSM