PMDXB600UNEZ

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN-1010B-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

600 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3 Ohms, 3 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

450 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

400 pC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

380 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

Nexperia

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1 S

立ち下がり時間：

51 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

9.2 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

19 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.6 ns

単位重量：

0.000042 oz

Tags

PMDXB6, PMDX, PMD