BCY58-VIII

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-18

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

32 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

32 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.7 V

最大DCコレクタ電流：

200 mA

ゲイン帯域幅積fT：

150 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

包装：

バルク

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

100 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

20 At 10 uA , 5 V

Pd-消費電力：

340 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

BCY58-VIII PBFREE

Tags

BCY58-V, BCY58, BCY5, BCY