NSVIMD10AMT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

デュアル

トランジスタの極性：

NPN、PNP

典型的な抵抗比：

0.01

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SC-74R-6

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

68

連続コレクタ電流：

500 mA

Pd-消費電力：

285 mW

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

IMD10AMT1G

包装：

リール

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

出力電圧：

0.2 VDC, 4.9 VDC

ブランド：

オン・セミコンダクター

最大DCコレクタ電流：

500 mA

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

NSV