2N2609

製品属性

属性値

メーカー：

InterFET

製品カテゴリ：

JFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-18-3

トランジスタの極性：

Pチャネル

構成：

独身

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

- 10 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 30 V

Vgs = 0でのドレイン-ソース電流：

- 10 mA

Id-連続ドレイン電流：

5 mA

Pd-消費電力：

300 mW

シリーズ：

2N26

包装：

バルク

タイプ：

JFET

ブランド：

InterFET

フォワード相互コンダクタンス-最小：

25 mS

ゲート-ソースカットオフ電圧：

4 V

ファクトリーパックの数量：

1

Tags

2N260, 2N26, 2N2