FDG410NZ

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-323-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

2.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

70 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

420 mW

構成：

独身

商標名：

PowerTrench

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

2 mm

シリーズ：

FDG410NZ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

1.25 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.000988 oz

Tags

FDG41, FDG4, FDG