FCP650N80Z

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

800 V

Id-連続ドレイン電流：

10 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

650 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V, 30 V

Qg-ゲートチャージ：

27 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

162 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

SuperFET II

包装：

チューブ

高さ：

16.3 mm

長さ：

10.67 mm

シリーズ：

FCP650N80Z

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.7 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

7.8 S

立ち下がり時間：

3.4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

11 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

40 ns

典型的なターンオン遅延時間：

17 ns

単位重量：

0.063493 oz

Tags

FCP6, FCP