TK39J60W,S1VQ

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3PN-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

38.8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

65 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

135 nC

Pd-消費電力：

270 W

構成：

独身

高さ：

20 mm

長さ：

15.5 mm

シリーズ：

TK39J60W

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.5 mm

ブランド：

東芝

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

25

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.245577 oz

Tags

TK39J, TK39, TK3