FDD3510H

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-5

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

80 V

Id-連続ドレイン電流：

4.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

80 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3.1 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

PowerTrench

包装：

リール

高さ：

2.39 mm

長さ：

6.73 mm

シリーズ：

FDD3510H

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

幅：

6.22 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

立ち下がり時間：

2 ns, 5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

2 ns, 3 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

16 ns, 25 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7 ns, 6 ns

単位重量：

0.009184 oz

Tags

FDD35, FDD3, FDD