EMT51T2R

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-563-6

トランジスタの極性：

PNP

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 20 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 20 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 120 mV

最大DCコレクタ電流：

- 200 mA

ゲイン帯域幅積fT：

350 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

560 at - 1 mA, - 2 V

包装：

リール

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 200 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

150 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

EMT51

単位重量：

0.000106 oz

Tags

EMT51, EMT5, EMT