CSD19506KTT

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

80 V

Id-連続ドレイン電流：

150 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

120 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

375 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

4.7 mm

長さ：

9.25 mm

シリーズ：

CSD19506KTT

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

10.26

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

297 S

立ち下がり時間：

5 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7 ns

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

30 ns

典型的なターンオン遅延時間：

14 ns

Tags

CSD19506, CSD1950, CSD19, CSD1, CSD