IXTY44N10T

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

85 V

Id-連続ドレイン電流：

44 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

22 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

33 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

130 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

高さ：

2.38 mm

長さ：

6.22 mm

シリーズ：

IXTY44N10

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

TrenchMVパワーMOSFET

幅：

6.73 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

13 S

立ち下がり時間：

32 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

47 ns

ファクトリーパックの数量：

70

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

36 ns

典型的なターンオン遅延時間：

21 ns

単位重量：

0.012346 oz

Tags

IXTY4, IXTY, IXT