LND150N3-G-P013

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Id-連続ドレイン電流：

30 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1 kOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

740 mW

構成：

独身

チャネルモード：

枯渇

包装：

弾薬パック

高さ：

5.33 mm

長さ：

5.21 mm

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.19 mm

ブランド：

マイクロチップテクノロジー

立ち下がり時間：

1300 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

450 ns

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

100 ns

典型的なターンオン遅延時間：

90 ns

単位重量：

0.016000 oz

Tags

LND150N3-G-P, LND150N3-G, LND150N3, LND150N, LND150, LND15, LND1, LND