MMBTA56LT1G-HFE

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 80 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 80 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 4 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 0.25 V

ゲイン帯域幅積fT：

50 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

MMBTA56L

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

0.5 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

100

Pd-消費電力：

225 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

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