2SB1124T-TD-E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-89-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

ゲイン帯域幅積fT：

150 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SB1124

高さ：

1.5 mm

長さ：

4.5 mm

包装：

リール

幅：

2.5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

3 A

Pd-消費電力：

500 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.004621 oz

Tags

2SB1124T-TD, 2SB1124T, 2SB1124, 2SB112, 2SB11, 2SB1, 2SB