FQD8P10TM-F085

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

6.6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

530 mOhms

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.5 W

構成：

独身

資格：

AEC-Q101

商標名：

QFET

包装：

リール

高さ：

2.39 mm

長さ：

6.73 mm

シリーズ：

FQD8P10TM_F085

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

6.22 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

パーツ番号エイリアス：

FQD8P10TM_F085

単位重量：

0.009184 oz

Tags

FQD8P10TM-F, FQD8P10TM, FQD8P10T, FQD8P, FQD8, FQD