TK9J90E,S1E

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3P(N)-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

900 V

Id-連続ドレイン電流：

9 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.3 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

46 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

250 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

高さ：

20 mm

長さ：

15.5 mm

シリーズ：

TK9J90E

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.5 mm

ブランド：

東芝

立ち下がり時間：

35 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

40 ns

ファクトリーパックの数量：

25

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

140 ns

典型的なターンオン遅延時間：

80 ns

単位重量：

0.245577 oz

Tags

TK9J, TK9