IXTP60N10T

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

60 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

18 mOhms

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

176 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

高さ：

9.15 mm

長さ：

10.66 mm

シリーズ：

IXTP60N10

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.82 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

42 S

立ち下がり時間：

37 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

40 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

43 ns

典型的なターンオン遅延時間：

27 ns

単位重量：

0.081130 oz

Tags

IXTP60, IXTP6, IXTP, IXT