FDI9409-F085

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-262-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

80 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6.4 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

43 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

94 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

商標名：

PowerTrench

包装：

チューブ

高さ：

7.88 mm

長さ：

10.29 mm

シリーズ：

FDI9409_F085

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.83 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

立ち下がり時間：

10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

90 ns

ファクトリーパックの数量：

400

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

24 ns

典型的なターンオン遅延時間：

17 ns

パーツ番号エイリアス：

FDI9409_F085

単位重量：

0.073511 oz

Tags

FDI9409, FDI9, FDI