NSS20201MR6T1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSOP-6

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

20 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

40 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.15 V

最大DCコレクタ電流：

2 A

ゲイン帯域幅積fT：

200 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

NSS20201MR6

高さ：

0.94 mm

長さ：

3 mm

包装：

リール

幅：

1.5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

2 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

300

Pd-消費電力：

460 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000705 oz

Tags

NSS20201, NSS202, NSS2, NSS