2N5550RLRP

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

140 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

160 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.25 V

最大DCコレクタ電流：

0.6 A

ゲイン帯域幅積fT：

300 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

高さ：

5.33 mm

長さ：

5.2 mm

包装：

弾薬パック

幅：

4.19 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

0.6 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

60

Pd-消費電力：

625 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2N5550RL, 2N5550R, 2N5550, 2N555, 2N55, 2N5