DMN3023L-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

6.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

25 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

800 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

18.4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.3 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

DMN3023

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

70 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

18 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

231 ns

典型的なターンオン遅延時間：

17 ns

単位重量：

0.001199 oz

Tags

DMN302, DMN30, DMN3, DMN