STQ1NK60ZR-AP

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

300 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

15 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

4.9 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

SuperMESH

シリーズ：

STQ1NK60ZR

トランジスタタイプ：

1 N-Channel Power MOSFET

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.5 S

立ち下がり時間：

28 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5 ns

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

13 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.5 ns

単位重量：

0.007760 oz

Tags

STQ1NK60ZR-A, STQ1NK60ZR, STQ1NK60Z, STQ1NK60, STQ1NK6, STQ1NK, STQ1N, STQ1, STQ