NTUD3170NZT5G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-963-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

220 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.5 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

400 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

125 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.37 mm

長さ：

1 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

NTUD3170NZ

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

タイプ：

小信号MOSFET

幅：

0.8 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.48 S

立ち下がり時間：

80 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

25.5 nd

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

142 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16.5 ns

Tags

NTUD3170, NTUD317, NTUD3, NTUD, NTU