PMD10K100

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3-2

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

100 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

100 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2 V

最大DCコレクタ電流：

20 A

ゲイン帯域幅積fT：

4 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

シリーズ：

PMD10K100

DC電流ゲインhFEMax：

20000

包装：

チューブ

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

12 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

1000

Pd-消費電力：

150 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

20

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

PBFREE PMD10K100

Tags

PMD10K, PMD10, PMD1, PMD