BSM75GD120DN2

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

IGBTモジュール

JBoss：

Y

製品：

IGBTシリコンモジュール

構成：

六角

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1200 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2.5 V

25℃での連続コレクタ電流：

103 A

ゲートエミッタリーク電流：

320 nA

Pd-消費電力：

520 W

パッケージ/ケース：

EconoPACK 3A

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

トレイ

高さ：

17 mm

長さ：

122 mm

幅：

62 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

取り付けスタイル：

シャーシマウント

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

製品タイプ：

IGBTモジュール

ファクトリーパックの数量：

10

サブカテゴリ：

IGBT

パーツ番号エイリアス：

BSM75GD120DN2BOSA1 SP000100364

Tags

BSM75GD120DN, BSM75GD120D, BSM75GD12, BSM75GD1, BSM75GD, BSM75G, BSM75, BSM7, BSM