NCD5702DR2G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

ゲートドライバー

JBoss：

Y

製品：

IGBT、MOSFETゲートドライバ

タイプ：

ハイサイド、ローサイド

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOIC-16

ドライバーの数：

1 Driver

出力数：

1 Output

出力電流：

7.8 A

立ち上がり時間：

9.2 ns

立ち下がり時間：

7.9 ns

供給電圧-最小：

5 V

供給電圧-最大：

30 V

伝播遅延-最大：

75 ns

動作供給電流：

900 uA

Pd-消費電力：

900 mW

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 125 C

包装：

リール

テクノロジー：

Si

ブランド：

オン・セミコンダクター

シャットダウン：

シャットダウン

最大ターンオフ遅延時間：

75 ns

最大ターンオン遅延時間：

75 ns

製品タイプ：

ゲートドライバー

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

PMIC-パワーマネジメントIC

Tags

NCD57, NCD5, NCD