SSM6J507NU,LF

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

UDFN6B-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

10 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

20 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

13.6 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.75 mm

長さ：

2 mm

シリーズ：

SSM6J507

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

2 mm

ブランド：

東芝

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

170 ns

典型的なターンオン遅延時間：

55 ns

Tags

SSM6J507, SSM6J50, SSM6J5, SSM6J, SSM6, SSM