FQD2N60CTM-WS

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

1.9 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.7 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

構成：

独身

商標名：

QFET

包装：

リール

高さ：

2.39 mm

長さ：

6.73 mm

シリーズ：

FQD2N60C

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

6.22 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

パーツ番号エイリアス：

FQD2N60CTM_WS

単位重量：

0.009184 oz

Tags

FQD2N60CTM, FQD2N60CT, FQD2N60C, FQD2N60, FQD2N6, FQD2N, FQD2, FQD