MRF7S21150HSR3

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-780S

包装：

リール

構成：

独身

高さ：

4.32 mm

長さ：

20.7 mm

シリーズ：

MRF7S21150H

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

9.91 mm

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネルモード：

強化

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 10 V

パーツ番号エイリアス：

935309845128

単位重量：

0.168010 oz

Tags

MRF7S21150HS, MRF7S2115, MRF7S211, MRF7S21, MRF7S2, MRF7S, MRF7, MRF