CMPDM203NH TR

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23F

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

3.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

33 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

600 mV

Qg-ゲートチャージ：

6.8 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

350 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

CMPDM2

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

セントラルセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

10.5 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

22.8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6 ns

パーツ番号エイリアス：

CMPDM203NH PBFREE TR

単位重量：

0.000282 oz

Tags

CMPDM, CMPD, CMP